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| 引入a—Si：H材料的氮化硅芯片电容 | |
| 引用本文： | 惠恒荣,五室,等.引入a—Si：H材料的氮化硅芯片电容[J].半导体技术,1990(1):15-17. |
| 作者姓名： | 惠恒荣 五室 |
| 作者单位： | [1]成都电子科技大学 [2]峨嵋半导体材料研究所 |
| 摘 要： | 本文研制了两种引入a-Si:H材料的氮化硅芯片电容,其一是作为辅助介质引入的,其二是为了改善Si/Si2N4界面而引入的,文章报导了这两种电容的研制工艺及样品的各种性能,其结构表明,这类电容有希望应用于厚薄膜集成电路. |
| 关 键 词： | a－Si：H材料 集成电路 氮化硅 芯片 电容 |
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