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杂志ISSN号
引入a—Si:H材料的氮化硅芯片电容
作者姓名:
惠恒荣 五室 等
作者单位:
[1]成都电子科技大学 [2]峨嵋半导体材料研究所
摘 要:
本文研制了两种引入a-Si:H材料的氮化硅芯片电容,其一是作为辅助介质引入的,其二是为了改善Si/Si2N4界面而引入的,文章报导了这两种电容的研制工艺及样品的各种性能,其结构表明,这类电容有希望应用于厚薄膜集成电路.
关 键 词:
a-Si:H材料 集成电路 氮化硅 芯片 电容
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