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| GaAs功率场效应管失效中源——漏烧毁现象的SEM／SAM研究 | |
| 引用本文： | 杨得全,范垂祯.GaAs功率场效应管失效中源——漏烧毁现象的SEM／SAM研究[J].真空与低温,1995,1(2):69-72. |
| 作者姓名： | 杨得全 范垂祯 |
| 摘 要： | 采用光学显微镜、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）及扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）等表面分析技术对ＧａＡｓ功率场效应管（ＦＥＴ）源－－漏烧毁失效现象进行了分析研究。ＳＥＭ分析结果表明，源－－漏烧毁失效的表面形貌状况较为复杂，烧伤区域的表面形态不尽一致。有源极烧毁较为严重的情况，也有漏极烧伤较严重的情况。ＳＡＭ分析结果说明，源－－漏烧毁ＦＥＴ中烧毁处附近的外表完好的源、漏条Ａｕ薄膜下欧姆接触金属薄膜层已完全消失，烧 |
| 关 键 词： | 砷化镓 场效应晶体管 烧毁失效分析 SEM SAM |
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