| 恒温磁力搅拌下KOH刻蚀Si的研究 |
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| 引用本文： | 刘宇,毛旭,岳萍,张福学.恒温磁力搅拌下KOH刻蚀Si的研究[J].电子元件与材料,2006,25(12):41-43,46. |
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| 作者姓名： | 刘宇 毛旭 岳萍 张福学 |
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| 作者单位： | 北京信息工程学院传感技术研究中心,北京,100101;北京信息工程学院传感技术研究中心,北京,100101;北京信息工程学院传感技术研究中心,北京,100101;北京信息工程学院传感技术研究中心,北京,100101 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;北京市传感技术中心重点实验室开放课题;北京市自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用恒温磁力搅拌的方法,在KOH溶液中湿法刻蚀Si。在掩模层为SiO2时,研究了刻蚀速率随KOH浓度与温度的变化关系。结果表明:在110℃、30%的KOH溶液下,刻蚀Si(100)可以得到4.0μm/min的刻蚀速率,Si(100):SiO2的刻蚀速率比为550:1,Si(100):Si(111)的刻蚀速率比为90:1,而且可以得到光滑的刻蚀表面与形状。
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| 关 键 词： | 电子技术 MEMS 湿法刻蚀 KOH 温度 |
| 文章编号： | 1001-2028（2006）12-0041-03 |
| 收稿时间： | 2005-12-12 |
| 修稿时间： | 2005-12-12 |
Research on KOH Etching Si by the Thermostatic Magnetic Mixer |
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| LIU Yu,MAO Xu,YUE Ping,ZHANG Fu-xue.Research on KOH Etching Si by the Thermostatic Magnetic Mixer[J].Electronic Components & Materials,2006,25(12):41-43,46. |
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| Authors: | LIU Yu MAO Xu YUE Ping ZHANG Fu-xue |
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| Affiliation: | Research Center of Sensor Technology, Beijing Information Technology Institute, Beijing 100101, China |
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| Abstract: | Si was etched with KOH by thermostatic magnetic mixer, and etching rate relation with temperature and concentration of KOH was investigated in the mask of SiO2. The results reveal that a rate of etching Si(100), Si(100):SiO2 and Si(100):Si(111) of 4.0 μm/min, 550:1 and 90:1 respectively, and uniformity etching surface are obtained for a concentration of 30 % KOH (mass fraction) at 110 ℃. |
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| Keywords: | MEMS KOH |
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