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| 硅漂移探测器时间分辨优化仿真研究 | |
| 作者姓名： | 虞年 徐玉朋 蔡严克 祝宇轩 赵晓帆 陈灿 |
| 作者单位： | 中国科学院高能物理研究所 北京 100049;中国科学院大学 北京 100049;中国科学院高能物理研究所 北京 100049;吉林大学物理学院 长春 130012;中国科学院高能物理研究所 北京 100049 |
| 基金项目： | 中国科学院战略性先导科技专项 |
| 摘 要： | 硅漂移探测器(Silicon Drift Detector,SDD)中电荷包的漂移时间(μs·cm?1)与粒子入射位置到读出电极距离有关,而且通常不能直接测量,其不确定性是影响探测器时间分辨的主要原因.漂移时间和电荷灵敏放大器(Charge Sensitive Amplifier,CSA)输出信号上升时间之间有明显的对... |
| 关 键 词： | 硅漂移探测器 时间分辨 漂移时间 梯形成形 三角成形 脉冲幅度比 |
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