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| 一种新颖的适合高压集成电路制备的隔离技术 | |
| 引用本文： | 孙国梁,章勤义.一种新颖的适合高压集成电路制备的隔离技术[J].电子器件,1991,14(2):67-71. |
| 作者姓名： | 孙国梁 章勤义 |
| 摘 要： | 半导体高压器件设计、制造技术的新发展使得高压、功率集成电路的实现成为可能.最近新出现的所谓“智能功率集成电路”便是一例.它集逻辑控制、功率驱动和诊断电路于一同一芯片,充分显示了这一领域的飞速发展.在这些高压、功率集成电路中,所采用的隔离技术多致力于更高的承受电压和功率密度.就目前的隔离技术而论,大致可以分为二类.一是PN结隔离技术(JI),另一种为介质隔离技术(DI).目前已有耐压为500伏和600伏通过PN结隔离和介质隔离技术实现的集成电路研制成功.但就PN结隔离而 |
| 关 键 词： | 集成电路 制造 隔离技术 |
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