| 用于IEEE 802.11 b/g/n WLAN的高线性度功率放大器 |
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| 引用本文： | 金婕,艾宝丽,史佳,崔杰. 用于IEEE 802.11 b/g/n WLAN的高线性度功率放大器[J]. 半导体技术, 2015, 40(4): 255-260. DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.04.003 |
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| 作者姓名： | 金婕 艾宝丽 史佳 崔杰 |
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| 作者单位： | 上海工程技术大学电子电气工程学院,上海,201620;中国科学院上海高等研究院,上海,201210 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61201244);上海工程技术大学科研启动项目(E1-0501-14-0168) |
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| 摘 要： | 基于2μm的InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺设计了一种可应用于IEEE802.11 b/g/n无线局域网(WLAN)的高线性度射频功率放大器.为了提高射频功率放大器的线性度,采用了负反馈镜像电路提供直流工作点,设计了良好的输入、输出和级间匹配电路来提高射频功率放大器的线性输出功率.流片结果表明,在工作电压为3.3V时,射频功率放大器的1 dB线性压缩输出功率(P1dB)可达27 dBm,当误差向量幅度(EVM)为3％时,2.4 GHz64 QAM激励下,输出功率可达19.8 dBm,满足标准规范要求.
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| 关 键 词： | 射频功率放大器(RF PA) 异质结双极晶体管(HBT) 误差向量幅度(EVM) 无线局域网 负反馈镜像电路 |
High Linear Power Amplifier for IEEE 802.11 b/g/n WLAN Applications |
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| Jin Jie;Ai Baoli;Shi Jia;Cui Jie. High Linear Power Amplifier for IEEE 802.11 b/g/n WLAN Applications[J]. Semiconductor Technology, 2015, 40(4): 255-260. DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.04.003 |
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| Authors: | Jin Jie Ai Baoli Shi Jia Cui Jie |
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| Affiliation: | Jin Jie;Ai Baoli;Shi Jia;Cui Jie;College of Electrical and Electronic Engineering,Shanghai University of Engineering Science;Shanghai Advanced Research Institute,Chinese Academy of Sciences; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | radio frequency power amplifier (RF PA) heterojunction bipolar transistor (HBT) error vector magnitude (EVM) wireless LAN negative feedback mirror circuit |
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