| HgInTe晶体的生长及其性能研究 |
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| 引用本文： | 王领航,董阳春,介万奇. HgInTe晶体的生长及其性能研究[J]. 功能材料, 2007, 38(6): 870-871,875 |
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| 作者姓名： | 王领航 董阳春 介万奇 |
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| 作者单位： | 西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 西北工业大学校科研和教改项目 , 西北工业大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 利用垂直Bridgman法生长了HgInTe单晶体,并采用X射线衍射分析、FT-IR光谱分析对晶体的形态结构及红外透过性能进行了检测,结果表明所生长的晶体是高质量的单相完整单晶体,其在400～4000cm-1范围内的红外透过性能较好,达到50%～55%,晶体对红外光的吸收主要为晶格吸收和自由载流子吸收引起的.
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| 关 键 词： | HgInTe 晶体生长 垂直布里奇曼法 光电半导体材料 近红外探测器 |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）06-0870-02 |
| 修稿时间： | 2006-11-282007-01-30 |
Study on growth and properties of mercury indium telluride single crystal |
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| WANG Ling-hang,DONG Yang-chun,JIE Wan-qi. Study on growth and properties of mercury indium telluride single crystal[J]. Journal of Functional Materials, 2007, 38(6): 870-871,875 |
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| Authors: | WANG Ling-hang DONG Yang-chun JIE Wan-qi |
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| Abstract: | HgInTe single-crystal has been grown by vertical Bridgman method and was investigated by means of X-ray analysis and FT-IR. The results showed that the as-grown crystal was single-phase crystal with high quality. The infrared transmittance in the middle and far infrared region was about 50%-55%. The absorption of the crystal to the infrared light was mainly lattice absorption and free carriers absorption. |
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| Keywords: | HgInTe crystal growth vertical Bridgman method photovoitaic semiconductors NIR detector |
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