| 星用微电子器件辐射效应及加固途径分析 |
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| 引用本文： | 王长河.星用微电子器件辐射效应及加固途径分析[J].微纳电子技术,1996(4). |
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| 作者姓名： | 王长河 |
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| 作者单位： | 电子部第１３研究所 |
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| 摘 要： | 在介绍卫星天然辐射环境和人工核爆辐射环境的基础上，着重分析应用于卫星电子系统中的微电子器件的辐射效应，包括电离辐射效应、瞬态辐射效应和中子辐射效应，并归纳出各种器件抗辐射加固的主要途径和具体方法。涉及的器件包括：ＣＭＯＳ／体硅电路，ＣＭＯＳ／ＳＯＳ电路，ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ及其电路，电荷耦合器件等。
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| 关 键 词： | 电离辐射，瞬态辐射，抗辐射加固 |
Analysis of the Radiation Effects and Hardness of Microelectronic Devices Used in Satellite |
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| Wang Changhe.Analysis of the Radiation Effects and Hardness of Microelectronic Devices Used in Satellite[J].Micronanoelectronic Technology,1996(4). |
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| Authors: | Wang Changhe |
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| Abstract: | Based on the radiation environments of nature and nuclear,radiation effects and hardness technology of microelectronic devices used in satellite are analysed. The devices include CMOS/Si, CMOS/SOS,CPU,GaAs MESFET,MIMIC,VHSIC and CCD. |
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| Keywords: | Ionizing radiation Transient radiation Radiation hardness |
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