压力对管道缺陷磁记忆信号的影响分析 |
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引用本文: | 唐玉莲,陈世利,黄新敬,杨雨涵. 压力对管道缺陷磁记忆信号的影响分析[J]. 机械强度, 2018, 0(2): 306-311 |
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作者姓名: | 唐玉莲 陈世利 黄新敬 杨雨涵 |
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作者单位: | 天津大学精密测试技术及国家重点实验室; |
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摘 要: | 为了分析利用磁记忆检测技术进行管道在线内检测的可行性,需要分析压力对管道缺陷磁记忆信号的影响。在J-A力磁耦合模型基础上得出相对磁导率与应力的数值关系,在Ansys软件中导入相对磁导率与应力的关系进行力学与静磁学联合仿真。研究结果表明:缺陷磁记忆信号有两个特点——径向磁场产生最小值到最大值的突变,轴向磁场出现最大值。在压力作用下管道内部背景磁场减小,缺陷磁记忆信号随着压力增大先减小后保持不变,可以利用磁记忆检测技术进行管道在线内检测。
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关 键 词: | 压力 管道 缺陷 磁记忆信号 力磁耦合 Ansys |
EFFECTS ANALYSIS OF PRESSURE ON THE MAGNETIC MEMORY SIGNALS OF PIPELINE DEFECTS |
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