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基于40 nm CMOS工艺的电荷泵锁相环设计
引用本文:路哲,马奎,唐重林,杨发顺,梁蓓.基于40 nm CMOS工艺的电荷泵锁相环设计[J].智能计算机与应用,2021,11(8):92-96,102.
作者姓名:路哲  马奎  唐重林  杨发顺  梁蓓
作者单位:贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025;贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳550025;贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳550025;牛芯半导体(深圳)有限公司上海第一分公司,上海201210
摘    要:本文基于SMIC40nmCMOS工艺,设计了一款输入频率范围25~20MHz,输出频率范围2.4~4GHz的电荷泵锁相环(CPPLL).介绍了电荷泵锁相环的整体电路框架,叙述了各子模块电路的设计、仿真验证与整体电路的设计与仿真验证,重点介绍压控振荡器的设计与仿真优化.版图后仿真结果表明,电荷泵电流失配在直流情况下达到0.3%@0.4-1.3 V;压控振荡器的输出频率范围为0.3~4 GHz、在输出频率1 MHz时相位噪声为-93.4 dB@1MHz、锁定时间为1 μs、绝对抖动为1 ps、典型值时的功耗为30 mW、面积为300×300 μm.

关 键 词:锁相环  相位噪声  抖动  鉴频鉴相器  低通滤波器  压控振荡

Design of charge pump phase-locked Loop based on 40 nm CMOS process
LU Zhe,MA Kui,TANG Zhonglin,YANG Fashun,LIANG Bei.Design of charge pump phase-locked Loop based on 40 nm CMOS process[J].INTELLIGENT COMPUTER AND APPLICATIONS,2021,11(8):92-96,102.
Authors:LU Zhe  MA Kui  TANG Zhonglin  YANG Fashun  LIANG Bei
Abstract:
Keywords:
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