| 基于源极电感检测法的SiC MOSFET短路保护电路研究 |
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| 引用本文： | 李官军,卢乙,殷实,余豪杰,李先允,殷帆.基于源极电感检测法的SiC MOSFET短路保护电路研究[J].电气传动,2021,51(15):16-19,24. |
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| 作者姓名： | 李官军 卢乙 殷实 余豪杰 李先允 殷帆 |
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| 作者单位： | 中国电力科学研究院有限公司,江苏南京210003;南京工程学院电力工程学院,江苏南京211167 |
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| 基金项目： | 江苏省储能变流;实验室开放基金;江苏省重点研发计划;江苏省普通高等学校研究生科研创新计划 |
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| 摘 要： | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)凭借高工作温度、高开关频率和低导通损耗等优点,被广泛应用于高压、高温和高工作频率场合,但SiC MOSFET的短路耐受时间较小,仅为2～5μs,这对SiC MOSFET的短路保护电路提出了更高的要求.首先总结分析SiC MOSFET短路故障特性,然后基于源极电感检测法设计一款SiC MOSFET短路保护电路并简要分析其工作原理,最后搭建实验平台进行实验验证.实验结果表明,所设计的短路保护电路结构简单,当SiC MOSFET发生硬开关短路故障或负载短路故障时,保护电路能够在故障发生的1μs内关断器件,保证器件的安全运行.
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| 关 键 词： | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 短路特性 源极电感检测法 短路保护 |
Research on Short-circuit Protection Circuit of SiC MOSFET Based on Source Inductance Detection |
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| LI Guanjun,LU Yi,YIN Shi,YU Haojie,LI Xianyun,YIN Fan.Research on Short-circuit Protection Circuit of SiC MOSFET Based on Source Inductance Detection[J].Electric Drive,2021,51(15):16-19,24. |
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| Authors: | LI Guanjun LU Yi YIN Shi YU Haojie LI Xianyun YIN Fan |
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