| 改善SiC MOSFET开关特性的有源驱动电路研究 |
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| 引用本文： | 卢乙,李先允,王书征,何鸿天,周子涵. 改善SiC MOSFET开关特性的有源驱动电路研究[J]. 电气传动, 2021, 51(16): 21-26. DOI: 10.19457/j.1001-2095.dqcd21692 |
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| 作者姓名： | 卢乙 李先允 王书征 何鸿天 周子涵 |
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| 作者单位： | 南京工程学院电力工程学院,江苏 南京 211167 |
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| 摘 要： | 针对碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET)开关过程中存在的电流、电压过冲和振荡问题,首先对SiC MOSFET的开关过程进行详细分析,得出电流、电压过冲和震荡的产生机理,然后根据影响过冲和振荡的关键因素,分别提出了电流注入型、变电压型和变电阻型有源驱动电路,并通过LTspice仿真软件验证了所提有源驱动...
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| 关 键 词： | 碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET) 有源驱动电路 LTspice仿真软件 过冲 振荡 |
Research on Active Gate Driver for Improving SiC MOSFET Switching Characteristics |
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| LU Yi,LI Xianyun,WANG Shuzheng,HE Hongtian,ZHOU Zihan. Research on Active Gate Driver for Improving SiC MOSFET Switching Characteristics[J]. Electric Drive, 2021, 51(16): 21-26. DOI: 10.19457/j.1001-2095.dqcd21692 |
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| Authors: | LU Yi LI Xianyun WANG Shuzheng HE Hongtian ZHOU Zihan |
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| Abstract: | |
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