| 应变Si_(1-x)Ge_x/Si异质结材料的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究 |
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| 作者姓名： | 邹吕凡 王占国 孙殿照 张靖巍 李建平 孔梅影 林兰英 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所!北京，100083，中国科学院半导体研究所!北京，100083，中国科学院半导体研究所!北京，100083，中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室!北京，100083，中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室!北京，100083，中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验 |
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| 摘 要： | 用GSMBE（GasSourceMolecularBeamEpitaxy）技术在国内首次研究了应变Si1-xGex／Si异质结材料的生长．并用X射线双晶衍射技术对样品进行了测试分析．对于Si(0.91)Ge(0．09)和Si(0.86)Ge(0.14)单层，其半宽度FWHM分别为100”和202”；对于Si(0.89)Ge(0.11)／Si多量子阱，其卫星峰多达15个以上．三种样品中的GeSi外延层干涉条纹清晰可见．结果表明，用GSMBE技术生长的Si1-xGex／Si异质结材料具有很好的结晶质量以及陡峭的界面．
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