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| 生长在GexSi1—x（001）衬底上应变GaAs层的光学性质 | |
| 引用本文： | 徐至中.生长在GexSi1—x（001）衬底上应变GaAs层的光学性质[J].固体电子学研究与进展,1995,15(3):222-227. |
| 作者姓名： | 徐至中 |
| 摘 要： | 采用紧束缚方法计算了生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１）衬底上的应变ＧａＡｓ层带间光跃迁的振子强度以及三次非线性光极化率，讨论了振子强度及三次非线性光极化率随衬底合金组分Ｘ的变化关系，计算结果表明，对所有Ｘ值，ｆｈｃ＝０，ｆＨＣ，ｆＬＣ及ｆＳＣ随Ｘ的变小而变小，ｆＬｃ及ｆＳｃ随Ｘ的变小而变大。对ｎ型ＧａＡｓ／ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１），应变使Ｘｘｘｘｘ变小，对ｐ型ＧａＡｓ／ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１）应 |
| 关 键 词： | 带间光跃迁 振子强度 应变处延层 砷化镓 生长 |
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