| 非外延硅单晶高灵敏度光敏三极管的研制 |
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| 引用本文： | 张君和. 非外延硅单晶高灵敏度光敏三极管的研制[J]. 半导体光电, 1990, 11(3): 273-279,285 |
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| 作者姓名： | 张君和 |
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| 作者单位： | 武汉大学物理系 武汉 |
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| 摘 要： | 本文研究用非外延硅单晶制造高灵敏度光敏三极管的方法。首先论述了两个困难:光开通现象和光电特性的非线性现象,然后查明了引起这两种现象的原因,并提出了对策,从而制得了3DU84型高灵敏度光敏三极管;其光电流在100勒克司光照下高达14毫安,在1000勒克司光照下高达60毫安。作为产品,3DU84与PN101/102相当,在100勒克司光照下,光电流最小值为1.5毫安,典型值为2～10毫安。
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| 关 键 词： | 硅单晶 光敏三极管 晶体管 |
Research and Development of High Sensitivity Phototransistor Made from Non-Epitaxial Si Single Crystal |
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| Zhang Junhe Dept.of Physics,Wuhan University Wuhan. Research and Development of High Sensitivity Phototransistor Made from Non-Epitaxial Si Single Crystal[J]. Semiconductor Optoelectronics, 1990, 11(3): 273-279,285 |
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| Authors: | Zhang Junhe Dept.of Physics Wuhan University Wuhan |
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| Affiliation: | Zhang Junhe Dept.of Physics,Wuhan University Wuhan 430072 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Phototransistor and High Sensitivity |
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