| CMOS运算放大器电离辐照的后损伤效应 |
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| 引用本文： | 陆妩,任迪远,郭旗,余学锋,张军,郑毓峰.CMOS运算放大器电离辐照的后损伤效应[J].微电子学,2003,33(2):102-104,117. |
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| 作者姓名： | 陆妩 任迪远 郭旗 余学锋 张军 郑毓峰 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院,新疆物理研究所,新疆,乌鲁木齐,830011
2. 新疆大学,新疆,乌鲁木齐,830046 |
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| 摘 要： | 介绍了CMOS运算放大器经60CoY辐照及辐照后在不同温度下随时间变化的实验结果，并通过对差分对单管特性和电路内部各单元电路损伤退化的分析，探讨了引起电路“后损伤”效应的原因。结果表明，由辐照感生的氧化物电荷和界面态的消长及差分对管的不匹配，是造成电路继续损伤劣化的根本原因。对于CMOS运算放大器电路，在抑制辐照感生的氧化物电荷和界面态增长的同时，改善电路间的对称性和匹配性，对提高电路的抗辐射能力是至关重要的。
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| 关 键 词： | CMOS线性电路 运算放大器 电离辐照 后损伤效应 |
| 文章编号： | 1004-3365(2003)02-0102-03 |
Post Damage Effects of CMOS Amplifiers by Total Dose Radiation |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS linear IC Operational amplifier Radiation hardening Total dose radiation Post damage effect |
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