| 低k层间介质研究进展 |
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| 引用本文： | 苏祥林,吴振宇,汪家友,杨银堂.低k层间介质研究进展[J].微纳电子技术,2005,42(10):463-468. |
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| 作者姓名： | 苏祥林 吴振宇 汪家友 杨银堂 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071 |
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| 摘 要： | 介绍了低k介质材料的研究和发展状况,从制备方法和材料特性等不同角度对低k材料进行分类,并结合ULSI对低k材料的要求讨论了低k材料在ULSI中的应用前景。
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| 关 键 词： | 低k介质 互连 超大规模集成电路 |
| 文章编号： | 1671-4776(2005)10-0463-06 |
| 修稿时间： | 2004年12月15 |
Development of Low-k Materials as Inter-Level Dielectrics |
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| SU Xiang-lin,WU Zhen-yu,WANG Jia-you,YANG Yin-tang.Development of Low-k Materials as Inter-Level Dielectrics[J].Micronanoelectronic Technology,2005,42(10):463-468. |
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| Authors: | SU Xiang-lin WU Zhen-yu WANG Jia-you YANG Yin-tang |
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| Abstract: | Current study and development of low-k dielectric constant materials are introduced.Low-k dielectric constant materials are classified from different aspects,such as preparation method and material properties.The prospect on the application of low-k dielectric constant materials in ULSI technology is also discussed to meet the stringent requirements of the fabrication processes. |
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| Keywords: | low-k dielectric interconnect ULSI |
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