| 非晶氮化硅的研究 |
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| 引用本文： | 王树林 程如光. 非晶氮化硅的研究[J]. 硅酸盐学报, 1989, 17(3): 243-250 |
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| 作者姓名： | 王树林 程如光 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所(王树林)，中国科学院上海硅酸盐研究所(程如光) |
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| 摘 要： | 本文报道了非晶氮化硅薄膜的组成、结构与性能关系的研究结果。采用高频辉光放电工艺,改变硅烷、纯氨及氢气的配比可制备各种N/Si比的非晶氮化硅。这类膜中都含有氢,因此其结构式可用a-SiN_x:H表示。红外吸收光谱、氢释放谱、光电性能测试的实验结果表明:当膜中N/Si<0.56时,膜的结构以a-Si:H相为主,是一种半导体,当N/Si比>0.73,膜的结构以a-Si_3N_4:H相为主,是一种绝缘体,在0.56
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| 关 键 词： | 氮化硅陶瓷 非晶体 薄膜 红外光谱 |
A STUDY OF AMORPHOUS SILICON NITRIDE |
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| Wang Shulin, Cheng Ruguang. A STUDY OF AMORPHOUS SILICON NITRIDE[J]. Journal of The Chinese Ceramic Society, 1989, 17(3): 243-250 |
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| Authors: | Wang Shulin Cheng Ruguang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | thin film amorphous silicon nitride IR spectrum hydrogen evolution spectrum |
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