| 掩模、刻蚀剥层-堆中子活化分析法测定硅片中金的纵向分布 |
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| 引用本文： | 文希孟,高秀清,陈炳贤,王计川. 掩模、刻蚀剥层-堆中子活化分析法测定硅片中金的纵向分布[J]. 核化学与放射化学, 1985, 0(2) |
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| 作者姓名： | 文希孟 高秀清 陈炳贤 王计川 |
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| 作者单位： | 中国原子能科学研究院 北京(文希孟，高秀清，陈炳贤)，中国原子能科学研究院 北京(王计川) |
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| 摘 要： | 本文研究了与堆中子活化分析法相结合的硅片掩模、刻蚀剥层技术及在此基础上建立的硅片中金的纵向浓度分布测定法。 采用自行设计的模具法掩模,操作方便、掩模可靠,模具耐腐蚀性能强,尤其适合放射性样品操作。通过研究刻蚀剂组份、刻蚀时间、刻蚀温度对刻蚀速率的影响,可提供合适的刻蚀剥层方案。用本法掩模和剥层,可连续进行单面或双面刻蚀剥层,每层厚度为5-20微米,总厚度偏差±3％。
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| 关 键 词： | 中子活化分析 单晶硅 掩模 剥层 刻蚀 纵向浓度分布测定 |
DETERMINATION OF THE DEPTH PROFILE OF GOLD IN SILICON WAFERS BY MASKING,ETCHING LAYERS REMOVAL-NEUTRON ACTIVATION ANALYSIS |
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| WEN XIMENG GAO XIUQING CHEN BINGXIAN WANG JICHUAN. DETERMINATION OF THE DEPTH PROFILE OF GOLD IN SILICON WAFERS BY MASKING,ETCHING LAYERS REMOVAL-NEUTRON ACTIVATION ANALYSIS[J]. Journal of Nuclear and Radiochemistry, 1985, 0(2) |
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| Authors: | WEN XIMENG GAO XIUQING CHEN BINGXIAN WANG JICHUAN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Neutron activation analysis Single crystal silicon Masking Etching layers removal Determination of the depth profile. |
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