生长Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的高压回流技术

已用高压回流技术在汞压控制到80个大气压的情况下生长了Hg_(1-x)Cd_xTe合金晶体。回流是通过惰性气体的高压和负温度梯度在挥发材料的装料上结合,使装料可以不用高温密封或液体密封而取得的。连续的蒸发和凝聚过程使惰性气体和蒸气物质在气体和蒸气具有同样压力的明确界面处分开。在Hg_(1-x)Cd_xTe晶体生长时,要调节在回流界面处的惰性气体压力以符合于在固化和晶体生长时维持装料化学配比所需要的汞蒸气压。在—高压炉中用这种技术已生长了大直径(达2.5厘米)、x值达0.60的高质量Hg_(1-x)Cd_xTe晶体。在77°K下,在退火n-型Hg_0.80Cd_0.20Te中获得了低于10~(15)厘米~(-3)的载流子浓度和超过10~5厘米~2/伏秒的电子迁移率。用这种n-型材料已制备了8～14微米光谱区的背景限光导红外探测器。用刚生长的In离子注入p-型材料制备了高性能短波长(2～5微米)光伏探测器。