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| 直拉硅单晶热处理过程中氧及碳的行为 | |
| 引用本文： | 孙旋,冯惠兰,刘慈敏,黄金龙,蒋双玲.直拉硅单晶热处理过程中氧及碳的行为[J].上海有色金属,1984(5). |
| 作者姓名： | 孙旋 冯惠兰 刘慈敏 黄金龙 蒋双玲 |
| 作者单位： | 上海电子材料一厂，上海电子材料一厂，上海电子材料一厂，上海电子材料一厂，上海电子材料一厂 |
| 摘 要： | 本文研究了CZ硅单晶在热处理过程中碳对产生氧施主和加快氧沉淀的作用。实验证实了碳在450℃时能抑制热施主的产生,在750℃时碳能促使生成新施主。在1050℃时由于碳的存在加快了氧的沉淀。实验结果认为CZ硅单晶氧含量小于8×10~(17)cm~(-3)时电阻率的热稳定性较好。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |