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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
高透过低吸收KCl单晶生长
作者姓名:
权宁三
陈国权
王人淑
高兆发
金继华
作者单位:
中科院上海光机所,中科院上海光机所,中科院上海光机所,中科院上海光机所,中科院上海光机所
摘 要:
本文介绍一种生长卤化物单晶的方法——注入式反应气氛下降法(称IRABP法).采用该法已获得φ75×75的优质 KCl单晶。用10.6μmCO_2激光量热卡计测量单晶的体吸收系数β_(10.6■1~2×10~(-4)cm~(-1)。讨论各种工艺参数对晶体质量的影响。
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