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金属薄膜缺陷及生长模式的有限元模拟
引用本文:宋鹏,陆建生,张德丰,周洁,杨滨. 金属薄膜缺陷及生长模式的有限元模拟[J]. 材料科学与工艺, 2007, 15(6): 827-830
作者姓名:宋鹏  陆建生  张德丰  周洁  杨滨
作者单位:昆明理工大学,材料与冶金工程学院,云南,昆明,650093;昆明贵金属研究所,云南,昆明,650221
摘    要:为了从微观领域研究金属薄膜缺陷的形成和薄膜的初期生长模式,利用有限元法对金属薄膜沉积过程中的缺陷和生长模式进行了计算机模拟.以Pt原子为膜料粒子,采用刚性球入射到石墨基底,重点研究了在基底上形成的缺陷结果表明,在薄膜生长初期会形成"树桩"小岛,而当碳基底上沉积铂原子的能量值达到75 eV时,就有可能发生随机原子注入."树桩"小岛的形成使薄膜生长多为岛状生长机制,同时检验了有限元方法在微观领域中的合理性和适用性.

关 键 词:薄膜缺陷  薄膜生长模式  有限元  计算机模拟
文章编号:1005-0299(2007)06-0827-04
收稿时间:2004-10-18
修稿时间:2004-10-18

Finite element method simulation of defects and growth model during metal thin film deposition
SONG Peng,LU Jian-sheng,ZHANG De-feng,ZHOU Jie,YANG Bin. Finite element method simulation of defects and growth model during metal thin film deposition[J]. Materials Science and Technology, 2007, 15(6): 827-830
Authors:SONG Peng  LU Jian-sheng  ZHANG De-feng  ZHOU Jie  YANG Bin
Abstract:
Keywords:thin film disorder  film growth model  finite element method  computer simulation
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