| 亚100nm体硅MOSFET集约I-V模型 |
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| 引用本文： | 张大伟,章浩,朱广平,张雪莲,田立林,余志平.亚100nm体硅MOSFET集约I-V模型[J].半导体学报,2005,26(3):554-561. |
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| 作者姓名： | 张大伟 章浩 朱广平 张雪莲 田立林 余志平 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所 北京100084
(张大伟，朱广平，张雪莲，田立林)，清华大学电子工程系 北京100084
(章浩)，清华大学微电子学研究所 北京100084(余志平) |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 利用“局域化”的概念和二维泊松方程的解析解，建立了沟道方向上二维量子效应对阈电压的修正模型．基于密度梯度理论，建立了多晶硅栅内量子效应对阈电压的修正模型．在此基础上，结合弹道理论，开发了一个适用于亚100nm MOSFET的集约I-V模型．通过与TSMC提供的沟长为45nm实际器件测试结果，以及与三组亚100nm MOSFET的数值模拟结果的比较，证明了该模型具有良好的精度（平均误差小于8%）和可延伸性．
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| 关 键 词： | 量子力学效应 弹道输运 体硅MOSFET 集约I-V模型 可延伸性 体硅 MOSFETs 集约 修正模型 Silicon Bulk Model 可延伸性 平均误差 精度 比较 模拟结果 数值 测试结果 器件 沟长 TSMC 开发 弹道理论 结合 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)03-0554-08 |
| 修稿时间： | 2004年3月30日 |
Compact I-V Model for Sub-100nm Bulk Silicon MOSFETs |
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| Zhang Dawei,Zhang Hao,Zhu Guangping,Zhang Xuelian,Tian Lilin,Yu Zhiping.Compact I-V Model for Sub-100nm Bulk Silicon MOSFETs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(3):554-561. |
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| Authors: | Zhang Dawei Zhang Hao Zhu Guangping Zhang Xuelian Tian Lilin Yu Zhiping |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | quantum mechanical effects ballistic transport bulk silicon MOSFETs compact I-V model scalability |
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