| 亚50nm自对准双栅场效应晶体管的量子和短沟道效应的研究 |
| |
| 引用本文： | 胡伟达 陈效双 全知觉 周旭昌 陆卫. 亚50nm自对准双栅场效应晶体管的量子和短沟道效应的研究[J]. 红外与毫米波学报, 2006, 25(2): 90-94 |
| |
| 作者姓名： | 胡伟达 陈效双 全知觉 周旭昌 陆卫 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083 |
| |
| 基金项目： | 科技部科研项目;中国科学院资助项目;国家高技术研究发展计划(863计划);上海市科委重大基金 |
| |
| 摘 要： | 采用有限元法自洽求解泊松-薛定谔方程,数值模拟了一种新型的亚50nm N沟道双栅MOS场效应晶体管的电学特性,系统阐述了尺寸参数对短沟道效应的影响规律.比较了不同尺寸参数下的亚阈值摆幅、阈值电压下跌和D IBL效应以及沟道跨道,获得了最佳硅鳍宽度(Tfin)和栅极长度(Lg)参数.模拟结果与实验数据的经典数值模拟进行了比较,表明由于电子束缚效应对器件性能的影响,考虑量子效应对F inFET器件的性能优化尤其重要.
|
| 关 键 词： | 自对准双栅场效应晶体管 量子力学计算 短沟道效应 量子效应 |
| 文章编号： | 1001-9014（2006）02-0090-05 |
| 收稿时间： | 2005-04-24 |
| 修稿时间： | 2005-09-08 |
STUDY ON QUANTUM AND SHORT-CHANNEL EFFECTS FOR SUB-50nm FINFETS |
| |
| HU Wei-D,CHEN Xiao-Shuang,QUAN Zhi-Jue,ZHOU Xu-Chang,LU Wei. STUDY ON QUANTUM AND SHORT-CHANNEL EFFECTS FOR SUB-50nm FINFETS[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2006, 25(2): 90-94 |
| |
| Authors: | HU Wei-D CHEN Xiao-Shuang QUAN Zhi-Jue ZHOU Xu-Chang LU Wei |
| |
| Affiliation: | National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | FinFETs quantum-mechanical calculation short-channel effect quantum effect |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《红外与毫米波学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《红外与毫米波学报》下载全文 |
|
