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Sb掺杂Sn_2S_3薄膜的制备及光学特性
引用本文:王艳,李健,卢建丽.Sb掺杂Sn_2S_3薄膜的制备及光学特性[J].功能材料,2011(Z2).
作者姓名:王艳  李健  卢建丽
作者单位:内蒙古大学物理科学与技术学院;内蒙古高等学校半导体光伏技术重点实验室;
基金项目:内蒙古自治区自然科学基金资助项目(2009MS0109); 内蒙古自治区高等学校科技资助项目(NJ10017)
摘    要:真空蒸发制备Sb掺杂Sn2S3多晶薄膜(玻璃衬底),研究不同比例Sb掺杂对Sn2S3薄膜的结构、表面形貌、化学组分及光学特性的影响。实验给出5%掺Sb的薄膜经380℃热处理30min(氮气保护)得到正交晶系的Sn2S3∶Sb多晶薄膜,薄膜表面颗粒大小均匀,膜面致密有轻微颗粒聚集现象。薄膜体内Sn与S化学计量比为1∶1.49,掺Sb后为1∶0.543,薄膜中Sn、S、Sb分别以Sn2+、Sn4+、S2-、Sb5+存在。纯Sn2S3薄膜的光透过率在350~500nm波长范围内基本为零,随着波长增大,光透过率增加,其直接光学带隙为2.2eV,吸收边为564nm;掺Sb后薄膜的光透率明显降低,光学带隙为1.395eV比未掺杂时减小0.805eV,吸收边发生红移为889nm。

关 键 词:真空蒸发  热处理  Sn2S3薄膜  Sb掺杂  光学特性  

Preparation and optics characterization of the Sb-doped Sn_2S_3 thin films
WANG Yan,LI Jian,LU Jian-li.Preparation and optics characterization of the Sb-doped Sn_2S_3 thin films[J].Journal of Functional Materials,2011(Z2).
Authors:WANG Yan    LI Jian  LU Jian-li
Affiliation:WANG Yan1,2,LI Jian1,LU Jian-li1 (1.School of Physical Science and Technology,Inner Mongol University,Hohhot 010021,China,2.Key Laboratory of Semiconductor Photovoltaic Technology for Colleges of Inner Mongolia Autonomous Region,China)
Abstract:
Keywords:vacuum vapor deposition  heat treatment  Sn2S3 thin film  Sb doped  optical characterization  
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