| Cu2O半导体薄膜在酸性条件下的电化学沉积 |
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| 引用本文： | 胡飞,陈镜昌,吴坚强,江毅,王群. Cu2O半导体薄膜在酸性条件下的电化学沉积[J]. 功能材料, 2011, 42(Z3): 488-491 |
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| 作者姓名： | 胡飞 陈镜昌 吴坚强 江毅 王群 |
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| 作者单位： | 1. 景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院,江西,景德镇,333001
2. 香港理工大学工业系统工程学系,中国,香港 |
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| 基金项目： | 江西省教育厅青年科学基金资助项目[GJJ09531]; 香港理工大学资助项目[G-YG77] |
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| 摘 要： | 在酸性溶液中在透明导电玻璃(ITO)基体上电化学沉积Cu2O薄膜.通过实验研究了电沉积工艺条件对电沉积Cu2O薄膜的影响.X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对薄膜的微观结构和表面形貌进行了分析.结果表明,水浴温度较高时,酸性镀液中Ac-HAc共轭缓冲体系的反应速率提高,可以有效抑制铜单质的生长;镀液中铜离子的浓度...
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| 关 键 词： | 氧化亚铜 电沉积 溶液温度 电流密度 |
Electrochemical deposition of cuprous oxides on ITO substrates in acid electrolyte |
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| HU Fei,CHEN Jing-chang,WU Jian-qiang,JIANG Yi,WANG Qun. Electrochemical deposition of cuprous oxides on ITO substrates in acid electrolyte[J]. Journal of Functional Materials, 2011, 42(Z3): 488-491 |
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| Authors: | HU Fei CHEN Jing-chang WU Jian-qiang JIANG Yi WANG Qun |
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| Affiliation: | HU Fei1,CHEN Jing-chang2,WU Jian-qiang1,JIANG Yi1,WANG Qun1(1.Department of Materials Science and Engineering,Jingdezhen Ceramic Institute,Jingdezhen 333001,China,2.Department of Industrial and Systems Engineering,the Hongkong Polytechnic University,Hongkong,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | cuprous oxide electrodeposition temperature current density |
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