首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
全部学科
医药、卫生
生物科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
农业科学
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
历史、地理
语言、文字
文学
艺术
文化、科学、教育、体育
马列毛邓
全部专业
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目中文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
采用半导体量子阱的光电器件
摘 要:
一、何为量子阱把厚度L_Z~*与电子的量子力学的波长(~100(?))相当的GaAs超薄膜嵌入Al_xGa_(1-x)As膜的结构,会产生两者电子亲合力之差,因而电子会落入GaAs膜内图1(a)],并被封闭起来。此时电子沿膜表面自由运动,而且在与膜表面垂直的方向上,按波动力学往复于两界面之间,形成驻波。
本文献已被
CNKI
等数据库收录!
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号