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微波ECR CVD法制备a-Si:H膜的氢含量研究
引用本文:李瀛,刘毅,阴生毅,胡跃辉,宋雪梅,邓金祥,朱秀红,陈光华.微波ECR CVD法制备a-Si:H膜的氢含量研究[J].功能材料,2004,35(Z1):3148-3151.
作者姓名:李瀛  刘毅  阴生毅  胡跃辉  宋雪梅  邓金祥  朱秀红  陈光华
作者单位:北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022
基金项目:国家重点基础研究发展计划973资助项目(G2000028201-1)
摘    要:应用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法,在较高速率下沉积了a-SiH薄膜,用FTIR红外谱仪研究a-SiH薄膜的结构特性与衬底温度、氢稀释比、光学带隙的对应关系,并对2000cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分析,获得了沉积高质量a-SiH薄膜的最佳工艺条件.

关 键 词:氢化非晶硅  MWECR  CVD  氢含量
文章编号:1001-9731(2004)增刊-3148-04
修稿时间:2004年3月20日

The study on hydrogen content of a-Si:H thin film synthesized by microwave ECR CVD method
LI Ying,LIU Yi,YIN Sheng-yi,HU Yue-hui,SONG Xue-mei,DENG Jin-xiang,ZHU Xiu-hong,CHEN Guang-hua.The study on hydrogen content of a-Si:H thin film synthesized by microwave ECR CVD method[J].Journal of Functional Materials,2004,35(Z1):3148-3151.
Authors:LI Ying  LIU Yi  YIN Sheng-yi  HU Yue-hui  SONG Xue-mei  DENG Jin-xiang  ZHU Xiu-hong  CHEN Guang-hua
Abstract:
Keywords:
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