| 硅基HgCdTe光伏器件的暗电流特性分析 |
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| 引用本文： | 岳婷婷,殷菲,胡晓宁.硅基HgCdTe光伏器件的暗电流特性分析[J].激光与红外,2007,37(Z1). |
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| 作者姓名： | 岳婷婷 殷菲 胡晓宁 |
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| 摘 要： | 对硅基HgCdTe中波器件进行了变温电流电压特性的测试和分析.测量温度从30K到240K,得到R0对数与温度的1000/T的实验曲线及拟合结果.同时选取60K、80K及110K下动态阻抗R与电压V的曲线进行拟合分析.研究表明在我们器件工作的温度点80K,零偏压附近主要的电流机制是产生复合电流和陷阱辅助隧穿电流.要提高器件的水平,必须降低陷阱辅助隧穿电流和产生复合电流对暗电流的贡献.
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| 关 键 词： | 硅基 HgCdTe 变温 暗电流 硅基 HgCdTe 光伏器件 暗电流特性分析 Dark Current Analysis 水平 陷阱辅助隧穿电流 复合电流 电流机制 偏压 工作 研究 拟合分析 实验曲线 动态阻抗 选取 拟合结果 测量温度 对数 |
Characterization Analysis of Dark Current in HgCdTe/Si Photodiodes |
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| YUE Ting-ting,YIN Fei,HU Xiao-ning.Characterization Analysis of Dark Current in HgCdTe/Si Photodiodes[J].Laser & Infrared,2007,37(Z1). |
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| Authors: | YUE Ting-ting YIN Fei HU Xiao-ning |
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