| 垂直发射极镇流电阻在HBT中的发射极电流集边效应中的作用 |
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| 引用本文： | 常玉春,崔洪峰,王金忠,宋俊峰,Hailin Luo,Y.Wang,杜国同.垂直发射极镇流电阻在HBT中的发射极电流集边效应中的作用[J].半导体学报,2002,23(6):624-627. |
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| 作者姓名： | 常玉春 崔洪峰 王金忠 宋俊峰 Hailin Luo Y.Wang 杜国同 |
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| 作者单位： | 1. 吉林大学电子科学和工程学院,集成光电子国家重点实验室吉林大学实验区,长春,130023;2. 香港科技大学物理系,香港 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;60077021; |
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| 摘 要： | 在异质结双极晶体管(HBT)功率器件中可以引入外延生长的发射极镇流电阻,以改善其热稳定性.通过理论计算和实验表明这种低掺杂的外延层不仅能作为镇流电阻,而且在功率HBT器件中还能非常有效地降低发射极电流集边效应.
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| 关 键 词： | 异质结双极晶体管(HBT) 镇流电阻 电流集边效应 |
| 文章编号： | 0253-4177(2002)06-0624-04 |
| 修稿时间： | 2001年9月21日 |
Effect of Vertical Emitter Ballasting Resistors on the Emitter Current Crowding Effect in Heterojunction Bipolar Transistors |
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| Chang Yuchun ,Cui Hongfeng ,Wang Jinzhong ,Song Junfeng ,Hailin Luo ,Y Wang and Du Guotong.Effect of Vertical Emitter Ballasting Resistors on the Emitter Current Crowding Effect in Heterojunction Bipolar Transistors[J].Chinese Journal of Semiconductors,2002,23(6):624-627. |
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| Authors: | Chang Yuchun Cui Hongfeng Wang Jinzhong Song Junfeng Hailin Luo Y Wang and Du Guotong |
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| Affiliation: | Chang Yuchun 1,Cui Hongfeng 1,Wang Jinzhong 1,Song Junfeng 1,Hailin Luo 2,Y Wang 2 and Du Guotong 1 |
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| Abstract: | Epitaxial emitter ballasting resistors are incorporated into power heterojunction bipolar transistors (HBTs) to improve thermal stability.It is proposed that this lightly doped layer can not only function as ballasting resistors used in multi finger power HBT cells,but also reduce the emitter current crowding effect very efficiently. |
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| Keywords: | heterojunction bipolar transistors ballasting resistors current crowding effect |
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