|
|||||
|
|
| ELO/SOI膜上短沟道MOSFET的研究 | |
| 作者姓名： | 陈南翔 张旭光 张美云 李映雪 王阳元 |
| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所 北京100871(陈南翔，张旭光，张美云，李映雪)，北京大学微电子学研究所 北京100871(王阳元) |
| 摘 要： | 在 ELO/SOI膜上制备出了短沟道 MOSFET.电子及空穴场效应迁移率分别为 360 cm~2/V.s及 200 cm~2/V.S.PMOS及 NMOS晶体管的亚阈值斜率分别为 190mV/dec和 220mV/dec,漏泄电流为10~(-10)A/μm数量级.本文讨论了 SOI-MOSFET的器件特性. |
| 关 键 词： | ELO／SOI膜 短沟道 制备工艺 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |