| 工艺参数对直流反应磁控溅射ZnO:Al薄膜沉积速率的影响 |
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| 引用本文： | 邹上荣,王海燕,耿梅艳,穆慧. 工艺参数对直流反应磁控溅射ZnO:Al薄膜沉积速率的影响[J]. 真空, 2009, 46(2) |
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| 作者姓名： | 邹上荣 王海燕 耿梅艳 穆慧 |
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| 作者单位： | 郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,河南,郑州,450052 |
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| 摘 要： | 实验以合金靶材在玻璃衬底上运用直流反应磁控溅射法制备了ZAO(ZnO:Al)透明导电薄膜样品.研究了O2气流量,衬底温度,以及反应气压和溅射功率等工艺参数对ZAO薄膜沉积速率的影响规律.结果表明:沉积速率随O2气流量的增加显著降低,靶面溅射模式由金属模式转变为氧化物模式,而且这种转变趋势在改变其他参数时依然明显;沉积速率随溅射功率的增大几乎成线性增加,但随衬底温度的变化并不大;在反应气压增大的情况下,沉积速率不断上升,达到最大值后,又随气压的增大不断下降.
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| 关 键 词： | ZAO薄膜 直流反应磁控溅射 沉积速率 |
Effect of Technological parameters on deposition rate of ZAO films prepared by DC magnetron reactive sputtering |
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| ZOU Shang-rong,WANG Hai-yan,GENG Mei-yan,MU Hui. Effect of Technological parameters on deposition rate of ZAO films prepared by DC magnetron reactive sputtering[J]. Vacuum(China), 2009, 46(2) |
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| Authors: | ZOU Shang-rong WANG Hai-yan GENG Mei-yan MU Hui |
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