掩膜版寿命受到雾状缺陷的限制1 |
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引用本文: | Laura Peters.掩膜版寿命受到雾状缺陷的限制1[J].集成电路应用,2007(4):36-36. |
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作者姓名: | Laura Peters |
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作者单位: | 《集成电路应用》高级编辑 |
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摘 要: | 雾状缺陷(Haze defect)是残留在掩膜版上的有机物或无机物,它们在曝光时有可能会生长变大。在光刻波长为248nm时.这类缺陷尚不会引起太大的问题,大约只影响到5%的掩膜版。然而到了193nm光刻.受其影响的掩膜版高达20%左右,雾状缺陷已成为光刻业界的一个严重问题。KLA-Tencor掩膜检查部门的高级技术市场经理Kaustuve Bhattacharyya解释说:“由于光刻波长变短.每个光子携带的能量更大。所以发生光化学反应的几率大为增加。”
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关 键 词: | 掩膜版 缺陷 193nm光刻 寿命 光化学反应 技术市场 无机物 有机物 |
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