BSIT开态的数值分析 |
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引用本文: | 李思渊,刘瑞喜.BSIT开态的数值分析[J].半导体技术,1996(1):33-39. |
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作者姓名: | 李思渊 刘瑞喜 |
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作者单位: | 兰州大学 |
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摘 要: | 对双极模式静电感应晶体管开通过程的理论分析和二维数值模拟清楚地表明,BSIT的完全开通须经过不同作用机制的两个阶段的转变,即正向小栅压下的势垒控制机制转变为大栅压下的少子注入电流控制机制。数值计算给出的结果有:小栅压下沿沟道中心线的电势分布;沿沟道的少子和电场分布;开态的I-V特性;通态压降和饱和电流随正栅压的变化;通态电阻随栅压和材料参数的变化;特别是电流增益随栅压、漏电流以及材料参数的变化。上
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关 键 词: | 双极模式 静电感应 晶体管 BSIT 数值模拟 |
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