| a－SiTFT LCD象素电压跳变特性研究 |
| |
| 引用本文： | 张盛东,薛文进.a－SiTFT LCD象素电压跳变特性研究[J].电子学报,1994(8). |
| |
| 作者姓名： | 张盛东 薛文进 |
| |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所，国家平板显示工程技术中心 |
| |
| 摘 要： | ａ－ＳｉＴＦＴ栅源电容Ｃｇｓ不仅为栅源电极交叠所产生的寄生电容Ｃｇｓｐ，还应包括栅电极与源端沟道间的本征电容Ｃｇｓｉ．用缓变沟道近似模型推导了Ｃｇｓｉ的表达式。通过对象素电极电压跳变公式的修正，圆满解释了先前的公式所不能解释的几个实验结果，从而澄清了对电压跳变机理的模糊认识。
|
| 关 键 词： | 象素电压，跳变，本征电容 |
An Investigation on Level Shift Characteristics for Pixel Electrode Voltage of a-Si TFT LCD |
| |
| Zhang Shengdong.An Investigation on Level Shift Characteristics for Pixel Electrode Voltage of a-Si TFT LCD[J].Acta Electronica Sinica,1994(8). |
| |
| Authors: | Zhang Shengdong |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Pixel voltage Level shift Intrinsic capacitance |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
