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薄膜集成集总元件环行器
引用本文:陈清海,李成生.薄膜集成集总元件环行器[J].磁性材料及器件,1982(4).
作者姓名:陈清海  李成生
作者单位:四机部一四○九所,四机部一四○九所
摘    要:介绍一种采用“空气隔离”工艺,可用于微波集成电路(MIC)的双调谐集总元件环行器。对同相激励本征电感和寄生电抗进行分析,使器件设计值与实验结果较一致。又对样品背面的宽带接地网络,特别是对“隙缝”电容作用考虑,简化了电路,而仍能宽带工作。环行器芯片如钮扣,能方便地同其它MIC元件连接。器件使用的旋磁样品被一种特殊的放射状磁化场磁化,旋磁样品和永磁体共约3克。在f_o=1.5GHz,反向损耗α__≥20dB,相对带宽Δf/f_o≥30%环行器工作温度为-40~ 55℃,耐冲击加速度100g。给出了一支工作在-55~ 70℃,20dB反向损耗和带宽43%的环行器特性。环行器内接匹配负载制成的集成隔离器通过功率(?)≥4W。

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