H2SO4—H2O2—H2O对GaAs晶片的择优腐蚀

为研制具有沟道衬底的单模激光器，讨论了Ｈ２ＳＯ４－Ｈ２Ｏ２－Ｈ２Ｏ对ＧａＡｓ晶片的择优腐蚀。实验证明，使用Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：８：８腐蚀液，在ＧａＡｓ（１００）面上沿［０１１］和［０１１］方向开槽分别获得燕尾槽和Ｖ型槽衬底，满足了器件设计的要求。