| 一种高增益的宽带低噪声放大器的设计 |
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| 作者姓名： | 李海鸥 余新洁 陈永和 傅涛 谢仕锋 张卫 尹怡辉 曾丽珍 |
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| 作者单位： | 桂林电子科技大学 广西精密导航技术与应用重点实验室, 广西 桂林 541004;中国电子科技集团公司 第三十四研究所, 广西 桂林 541004;复旦大学 专用集成电路与系统国家重点实验室, 上海 200433 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61874036,62174041);专用集成电路与系统国家重点实验室开放课题(KVH1233021);广西创新研究团队项目(2018GXNSFGA281004);广西精密导航技术与应用重点实验室基金资助项目(DH2020013) |
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| 摘 要： | 采用SANAN公司的0.25μm E-Mode pHEMT工艺,基于ADS仿真,设计了一款工作频率为2.0～4.2 GHz的两级级联的宽带LNA芯片。芯片采用电阻偏压的方式,实现了3.3 V单电源供电。同时,设计了一种改进型的RLC并联负反馈结构,实现了宽带匹配。仿真结果表明,该LNA在2.0～4.2 GHz频段内,最大增益为30.9 dB,增益平坦度为±0.6 dB左右,输入回波损耗小于-9 dB,输出回波损耗小于-12 dB;噪声系数为(1.2±0.14) dB;系统稳定性因子K在全频带内大于2.8;芯片面积为0.78 mm×2.2 mm。
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| 关 键 词： | 低噪声放大器 自偏置 ADS 负反馈 GaAs |
| 收稿时间： | 2021-12-13 |
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