| 一种高增益的宽带低噪声放大器的设计 |
| |
| 引用本文： | 李海鸥,余新洁,陈永和,傅涛,谢仕锋,张卫,尹怡辉,曾丽珍.一种高增益的宽带低噪声放大器的设计[J].微电子学,2023,53(1):1-7. |
| |
| 作者姓名： | 李海鸥 余新洁 陈永和 傅涛 谢仕锋 张卫 尹怡辉 曾丽珍 |
| |
| 作者单位： | 桂林电子科技大学 广西精密导航技术与应用重点实验室, 广西 桂林 541004;中国电子科技集团公司 第三十四研究所, 广西 桂林 541004;复旦大学 专用集成电路与系统国家重点实验室, 上海 200433 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61874036,62174041)；专用集成电路与系统国家重点实验室开放课题(KVH1233021)；广西创新研究团队项目(2018GXNSFGA281004)；广西精密导航技术与应用重点实验室基金资助项目(DH2020013) |
| |
| 摘 要： | 采用SANAN公司的0.25μm E-Mode pHEMT工艺，基于ADS仿真，设计了一款工作频率为2.0～4.2 GHz的两级级联的宽带LNA芯片。芯片采用电阻偏压的方式，实现了3.3 V单电源供电。同时，设计了一种改进型的RLC并联负反馈结构，实现了宽带匹配。仿真结果表明，该LNA在2.0～4.2 GHz频段内，最大增益为30.9 dB,增益平坦度为±0.6 dB左右，输入回波损耗小于-9 dB,输出回波损耗小于-12 dB;噪声系数为(1.2±0.14) dB;系统稳定性因子K在全频带内大于2.8;芯片面积为0.78 mm×2.2 mm。
|
| 关 键 词： | 低噪声放大器 自偏置 ADS 负反馈 GaAs |
| 收稿时间： | 2021/12/13 0:00:00 |
A Broadband Low Noise Amplifier with High Gain |
| |
| LI Haiou,YU Xinjie,CHEN Yonghe,FU Tao,XIE Shifeng,ZHANG Wei,YIN Yihui,ZENG Lizhen.A Broadband Low Noise Amplifier with High Gain[J].Microelectronics,2023,53(1):1-7. |
| |
| Authors: | LI Haiou YU Xinjie CHEN Yonghe FU Tao XIE Shifeng ZHANG Wei YIN Yihui ZENG Lizhen |
| |
| Affiliation: | Guangxi Key Lab.of Precision Naviga.Technol.and Applic., Guilin Univ.of Elec.Technol., Guilin, Guangxi 541004, P.R.China;The 34th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation, Guilin, Guangxi 541004, P.R.China;State Key Lab.of ASIC & System, Fudan University, Shanghai 200433, P.R.China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | low noise amplifier self bias ADS negative feedback GaAs |
|
| 点击此处可从《微电子学》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《微电子学》下载全文 |
|
