| 具有分段P型埋层的Triple-RESURF LDMOS |
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| 引用本文： | 何乃龙,许杰,王浩,赵景川,王婷,朱文明,张森. 具有分段P型埋层的Triple-RESURF LDMOS[J]. 微电子学, 2023, 53(1): 134-138 |
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| 作者姓名： | 何乃龙 许杰 王浩 赵景川 王婷 朱文明 张森 |
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| 作者单位： | 无锡华润上华科技有限公司, 江苏 无锡 214061 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(62074030) |
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| 摘 要： | 提出了一种具有分段P型埋层的Triple-RESURF LDMOS(SETR LDMOS)。该结构将传统Triple-RESURF LDMOS(TR LDMOS)中均匀掺杂的P埋层漏端一侧做分段处理，使漂移区中P型杂质从源端到漏端呈现出近似阶梯掺杂的分布。这种优化能够平衡漏端底部剧烈的衬底辅助耗尽效应，提升器件的耐压性能；同时，器件正向导通状态下，对电流的传输路径也没有形成阻碍，能够维持较低的比导通电阻。流片结果表明，在漂移区长度均为65μm的情况下，SETR LDMOS的击穿电压能达到813 V,比传统TR LDMOS的击穿电压高51 V,且比导通电阻维持在7.3Ω·mm2。
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| 关 键 词： | P型埋层 LDMOS 击穿电压 比导通电阻 |
| 收稿时间： | 2022-01-31 |
A Triple-RESURF LDMOS with Segmented P Buried Layer |
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| HE Nailong,XU Jie,WANG Hao,ZHAO Jingchuan,WANG Ting,ZHU Wenming,ZHANG Sen. A Triple-RESURF LDMOS with Segmented P Buried Layer[J]. Microelectronics, 2023, 53(1): 134-138 |
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| Authors: | HE Nailong XU Jie WANG Hao ZHAO Jingchuan WANG Ting ZHU Wenming ZHANG Sen |
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| Affiliation: | CSMC Technologies Corporation, Wuxi, Jiangsu 214061, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | P buried layer LDMOS breakdown voltage specific on-resistance |
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