| 扭摆式微硅隧道加速度传感器 |
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| 引用本文： | 陈德英,茅盘松,史建伟,熊涛,张旭,金肖科. 扭摆式微硅隧道加速度传感器[J]. 电子器件, 2001, 24(4): 285-294 |
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| 作者姓名： | 陈德英 茅盘松 史建伟 熊涛 张旭 金肖科 |
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| 作者单位： | 东南大学微电子中心, |
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| 摘 要： | 本文介绍了扭摆式隧道加速度传感器的结构、工作原理、简化的力学模型，设计了版图、工艺流程及关键工艺，并制备出样品，最后给出测试电路和结果。
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| 关 键 词： | 微硅 扭摆式 隧道效应 加速度传感器 |
| 文章编号： | 1005-9490(2001)04-0285-10 |
| 修稿时间： | 2001-08-21 |
The Torsion Tunneling Microsilicon Acceleration Sensor |
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| CH EN Dey ing,MA O P anson,SH I J ianw ei,X ION G T ao,ZH A N G X u,J IN X iao K. The Torsion Tunneling Microsilicon Acceleration Sensor[J]. Journal of Electron Devices, 2001, 24(4): 285-294 |
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| Authors: | CH EN Dey ing MA O P anson SH I J ianw ei X ION G T ao ZH A N G X u J IN X iao K |
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| Affiliation: | Southeast Univ er sity |
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| Abstract: | This paper describes the structure, operating principle and simplifed mechanical model of trosion tunneling acceleration sensor. The layout? Key processes and the masks are presented as well as the sample is fabricated. Finally, the measuing circuits and testing results are given. |
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| Keywords: | microsilicon torsion structure electron tunnel effect acceleration sensor |
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