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PLD生长的ZnO薄膜的微结构及其发光特性研究
引用本文:孙柏,邹崇文,刘忠良,徐彭寿,张国斌,韦世强.PLD生长的ZnO薄膜的微结构及其发光特性研究[J].真空科学与技术学报,2006,26(6):446-450.
作者姓名:孙柏  邹崇文  刘忠良  徐彭寿  张国斌  韦世强
作者单位:中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,合肥,230029
基金项目:国家自然科学基金;高等学校博士学科点专项科研项目;中国科学院知识创新工程项目
摘    要:在不同的衬底温度下,通过脉冲激光淀积(PLD)方法在Si衬底上生长出c轴高度取向的ZnO薄膜。ZnO薄膜的结构分别通过X射线衍射(XRD)和广延X射线吸收精细结构(EXAFS)来表征,而表面成份和化学态则通过X射线光电子能谱来研究。利用光致发光(PL)来研究样品的发光特性。XRD结果和EXAFS结果都表明了500℃时生长的ZnO薄膜的结晶性比300℃时生长的要好。EXAFS结果和XPS结果显示,300℃时生长的ZnO薄膜处于富氧状态,而500℃时生长的则处于缺氧状态。结合XRD谱、EXAFS谱、XPS谱和PL谱的结果可以看到:随着ZnO薄膜的结晶性变好,它的紫外发光增强;另一方面,随着ZnO薄膜中O的含量减少,绿光发射变强。我们的结果表明绿光发射与ZnO中氧空位(V0)有关。

关 键 词:氧化锌  脉冲激光淀积  X射线光电子能谱  广延X射线吸收精细结构  光致发光
文章编号:1672-7126(2006)06-0446-05
收稿时间:2006-04-01
修稿时间:2006年4月1日

Microstructure and Photoluminescence Properties of ZnO Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition
Sun Bai,Zou Chongwen,Liu Zhongliang,Xu Pengshou,Zhang Guobin,Wei Shiqiang.Microstructure and Photoluminescence Properties of ZnO Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2006,26(6):446-450.
Authors:Sun Bai  Zou Chongwen  Liu Zhongliang  Xu Pengshou  Zhang Guobin  Wei Shiqiang
Affiliation:National Synchrotron Radiation Laboratory, University of Science and Technology of China, Hefei 230029, China
Abstract:
Keywords:Zinc Oxide  Pulsed Laser Deposition  X-ray photoelectron spectroscopy  Extended x-ray absorption fine structure  Photoluminescence(PL)
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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