| 射频功率对非晶硅膜固相晶化效果的影响 |
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| 引用本文： | 鲁媛媛,李贺军,杨冠军,蒋百灵,杨超. 射频功率对非晶硅膜固相晶化效果的影响[J]. 功能材料, 2015, 0(3): 3033-3036,3040 |
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| 作者姓名： | 鲁媛媛 李贺军 杨冠军 蒋百灵 杨超 |
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| 作者单位： | 1. 西北工业大学 材料学院,西安,710072
2. 西安理工大学 材料学院,西安,710048 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点资助项目 |
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| 摘 要： | 于不同射频功率下制备出非晶Si膜并对其进行真空退火处理,采用XRD、TEM和少子寿命测试仪等检测手段分析了退火前后薄膜的微观结构及电学性能。研究发现,随着射频功率的增加,薄膜的中程有序度和少子寿命均呈先增后减的趋势。经真空退火处理后,非晶硅膜得以晶化,少子寿命较退火前有大幅提高;另外,退火后薄膜的晶化率和少子寿命随射频功率的变化趋势与退火前一致,说明同一热力学条件下薄膜的中程有序度越高越容易发生晶化。
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| 关 键 词： | 硅膜 射频功率 真空退火 微观结构 少子寿命 |
The influence of RF power on the solid phase crystalli-zation of a-Si thin films |
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| LU Yuan-yuan,LI He-jun,YANG Guan-jun,JIANG Bai-ling,YANG Chao. The influence of RF power on the solid phase crystalli-zation of a-Si thin films[J]. Journal of Functional Materials, 2015, 0(3): 3033-3036,3040 |
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| Authors: | LU Yuan-yuan LI He-jun YANG Guan-jun JIANG Bai-ling YANG Chao |
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| Affiliation: | LU Yuan-yuan;LI He-jun;YANG Guan-jun;JIANG Bai-ling;YANG Chao;School of Materials Science and Engineering,Northwestern Polytechnical University;School of Materials Science and Engineering,Xi’an University of Technology; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon thin films RF power annealing in vaccum microstructure minority carrier lifetime |
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