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| 贮存环境对某型霍尔电路性能参数的影响研究 | |
| 引用本文： | 李坤兰,王首臻,杨少华. 贮存环境对某型霍尔电路性能参数的影响研究[J]. 电子产品可靠性与环境试验, 2015, 0(3): 31-35 |
| 作者姓名： | 李坤兰 王首臻 杨少华 |
| 作者单位： | 1. 工业和信息化部电子第五研究所,广东 广州 510610; 广东省电子信息产品可靠性技术重点实验室,广东 广州 510610; 广州市电子信息产品可靠性与环境工程重点实验室,广东 广州 510610 2. 二炮装备研究院,北京,100085 3. 工业和信息化部电子第五研究所,广东 广州,510610 |
| 摘 要： | 在A(寒温）、 B(亚湿热）、 C(亚湿热）、 D(热带海洋）4地的库房内对某型霍尔集成电路开展了为期17年的库房贮存试验,跟踪测试了该型霍尔集成电路的高电平－低电平磁感应强度(工作点） BH－L、低电平－高电平磁感应强度(释放点） BL－H和回差BH等性能参数,并应用T－检验法对4地贮存环境对样品的性能参数的影响进行了分析研究,结果表明各地贮存环境条件对样品的性能参数的影响各不相同。 |
| 关 键 词： | 霍尔集成电路 贮存试验 性能参数 T-检验 |
Influence of the Storage Environment on a Hall IC |
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| LI Kun-lan , WANG Shou-zhen , YANG Shao-hua. Influence of the Storage Environment on a Hall IC[J]. Electronic Product Reliability and Environmental Testing, 2015, 0(3): 31-35 | |
| Authors: | LI Kun-lan WANG Shou-zhen YANG Shao-hua |
| Abstract: | |
| Keywords: | Hall IC storage test performance parameters T-test |
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