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考虑空位缺陷的单晶硅纳米级磨削过程的分子动力学仿真
引用本文:郭晓光,张亮,金洙吉,郭东明.考虑空位缺陷的单晶硅纳米级磨削过程的分子动力学仿真[J].中国机械工程,2013,24(10):1284-1288,1295.
作者姓名:郭晓光  张亮  金洙吉  郭东明
作者单位:大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,大连,116021
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2011CB706703);国家自然科学基金资助项目(50905025)
摘    要:基于第一性原理,构建并验证了考虑空位缺陷的单晶硅纳米级磨削过程的分子动力学仿真模型.通过磨削过程的分子动力学仿真计算,从原子空间角度分析了单晶硅纳米级磨削过程中原子瞬间位置变化、温度波动、作用力大小和势能波动等变化,解释了纳米级超精密磨削过程中材料的去除过程,描述了切屑形成过程和加工表面形成机理.分析了空位缺陷对加工过程和表面质量的影响,并对空位在仿真过程中的作用进行了研究.

关 键 词:空位缺陷  纳米级磨削  分子动力学仿真  单晶硅

Molecular Dynamics Simulation in Vacancy Defect Monocrystal Silicon Nanometric Grinding
Guo Xiaoguang , Zhang Liang , Jin Zhuji , Guo Dongming.Molecular Dynamics Simulation in Vacancy Defect Monocrystal Silicon Nanometric Grinding[J].China Mechanical Engineering,2013,24(10):1284-1288,1295.
Authors:Guo Xiaoguang  Zhang Liang  Jin Zhuji  Guo Dongming
Affiliation:Guo Xiaoguang Zhang Liang Jin Zhuji Guo Dongming Key Laboratory for Precision & Non-traditional Machining of Ministry of Education,Dalian University of Technology,Dalian,Liaoning,116021
Abstract:
Keywords:
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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