| 用于纳电子器件的超薄氮氧硅薄膜的软失效电导 |
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| 引用本文： | 许铭真,谭长华,何燕冬,段小蓉.用于纳电子器件的超薄氮氧硅薄膜的软失效电导[J].半导体学报,2005,26(z1):126-128. |
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| 作者姓名： | 许铭真 谭长华 何燕冬 段小蓉 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子研究院,北京,100871;北京大学微电子研究院,北京,100871;北京大学微电子研究院,北京,100871;北京大学微电子研究院,北京,100871 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 研究了2.5nm超薄氮氧硅薄膜的软击穿电导特性.统计实验结果表明,软失效电导和软失效时间与环境温度之间均遵从AHhenius规则,而且软失效电导和软失效时间遵从一个反对称的规律.它们源于同一个应力诱生缺陷导电机制.
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| 关 键 词： | 氮氧硅薄膜 软失效电导 软失效时间 缺陷导电 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)S0-0126-03 |
| 修稿时间： | 2004年9月8日 |
Conductivity to Soft Failure of N-O-Si Thin Film Used in Nanometer Device |
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| Xu Mingzhen,Tan Changhua,He Yandong,Duan Xiaorong.Conductivity to Soft Failure of N-O-Si Thin Film Used in Nanometer Device[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(z1):126-128. |
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| Authors: | Xu Mingzhen Tan Changhua He Yandong Duan Xiaorong |
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