一种新型VLSI电路外部电光探测器北大核心CSCD |
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引用本文: | 罗俊,秦国林,刘鸿飞,衣茂斌,张大明.一种新型VLSI电路外部电光探测器北大核心CSCD[J].微电子学,2011(5):690-694. |
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作者姓名: | 罗俊 秦国林 刘鸿飞 衣茂斌 张大明 |
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作者单位: | 1.中国电子科技集团公司第二十四研究所400060;2.西安电子科技大学微电子学院710071;3.吉林大学集成光电子国家重点实验室130023; |
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摘 要: | 采用极化聚合物电光材料,设计制作出一种结构新颖的亚微米VLSI电路正面入射式外部电光探测器。通过在探测器中引入参考电极,实现了电压的标定测量;利用1μm线宽指状电极的电场分布,验证了触立式极化聚合物电光探测器对电场具有较高的空间分辨率。实验证明,该新型外部电光探测器的空间分辨率可达0.5μm,完全满足亚微米电路无损探测的要求。
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关 键 词: | 外部电光探测 VLSI 电场空间分辨率 可靠性 |
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