基于结温补偿的IGBT模块键合线失效监测方法 |
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作者姓名: | 岳亚静 杜明星 文星 魏克新 |
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作者单位: | 天津理工大学,天津市复杂系统控制理论及应用重点实验室,天津300384;天津理工大学,天津市复杂系统控制理论及应用重点实验室,天津300384;天津理工大学,天津市复杂系统控制理论及应用重点实验室,天津300384;天津理工大学,天津市复杂系统控制理论及应用重点实验室,天津300384 |
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摘 要: | 针对目前绝缘栅双极型晶体管(IGBT)结温估测存在误差的问题,利用通态压降作为结温估计的函数,考虑IGBT模块内部互连材料等效电阻的影响,对估计结温进行补偿,通过实验验证补偿后的温度更接进芯片的真实温度。在此方法的基础上,模拟IGBT模块老化的进程,确定键合线失效阈值,并建立键合线失效基准面。实验结果表明健康的IGBT功率模块和故障模块在三维曲面上具有很好的区分度,验证了运用该方法监测模块内部键合线失效情况的可行性。
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关 键 词: | 绝缘栅双极型晶体管 等效电阻 结温估测 键合线失效 |
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